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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG6313N
FDG6313N Image
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FDG6313N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG6313N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG6313N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG6313N.pdf
vorrätig: 4260

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Anzahl

Spezifikation

FDG6313N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG6313N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG6313N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG6313  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG6313N.

Produkteigenschaften FDG6313N FDG6308P FDG6314P FDG6317NZ
Artikelnummer FDG6313N FDG6308P FDG6314P FDG6317NZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V - 1.1nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 20V 25V 20V
Serie - PowerTrench® - PowerTrench®
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 153pF @ 10V - 66.5pF @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Leistung - max 300mW 300mW - 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V - 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA 600mA - 700mA
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA - 1.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Grundproduktnummer FDG6313 FDG6308 FDG6314 FDG6317

FDG6313N Datenblatt PDF

Laden Sie FDG6313N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG6313N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf Mold Compound 07/May/2008.pdf
Datenblätter
FDG6313N.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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