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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG6314P
FDG6314P Image
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FDG6314P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG6314P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG6314P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 25V SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG6314P.pdf
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

FDG6314P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG6314P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG6314P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max -  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG6314  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG6314P.

Produkteigenschaften FDG6314P FDG6317NZ FDG6308P FDG6316P
Artikelnummer FDG6314P FDG6317NZ FDG6308P FDG6316P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id - 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Grundproduktnummer FDG6314 FDG6317 FDG6308 FDG6316
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 700mA 600mA 700mA
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Serie - PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 400mOhm @ 700mA, 4.5V 400mOhm @ 600mA, 4.5V 270mOhm @ 700mA, 4.5V
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 1.1nC @ 4.5V 2.5nC @ 4.5V 2.4nC @ 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 20V 20V 12V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 66.5pF @ 10V 153pF @ 10V 146pF @ 6V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Leistung - max - 300mW 300mW 300mW

FDG6314P Datenblatt PDF

Laden Sie FDG6314P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG6314P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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