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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG6321C
FDG6321C Image
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FDG6321C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG6321C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG6321C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG6321C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 229040

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Anzahl

Spezifikation

FDG6321C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG6321C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG6321C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA, 410mA  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDG6321  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG6321C.

Produkteigenschaften FDG6321C FDG6320C FDG6318P FDG6322C
Artikelnummer FDG6321C FDG6320C FDG6318P FDG6322C
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V 780mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 20V 25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FDG6321 FDG6320 FDG6318 FDG6322
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 9.5pF @ 10V 83pF @ 10V 9.5pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V 1.2nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA, 410mA 220mA, 140mA 500mA 220mA, 410mA
Serie - - - -

FDG6321C Datenblatt PDF

Laden Sie FDG6321C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG6321C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Mar/2023.pdf
Datenblätter
FDG6321C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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