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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG6318PZ
FDG6318PZ Image
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FDG6318PZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG6318PZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG6318PZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG6318PZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4840

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Anzahl

Spezifikation

FDG6318PZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG6318PZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG6318PZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85.4pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.62nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG6318  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG6318PZ.

Produkteigenschaften FDG6318PZ FDG6322C FDG6317NZ FDG6316P
Artikelnummer FDG6318PZ FDG6322C FDG6317NZ FDG6316P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Serie - - PowerTrench® PowerTrench®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V 4Ohm @ 220mA, 4.5V 400mOhm @ 700mA, 4.5V 270mOhm @ 700mA, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 25V 20V 12V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Grundproduktnummer FDG6318 FDG6322 FDG6317 FDG6316
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA 220mA, 410mA 700mA 700mA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.62nC @ 4.5V 0.4nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 2.4nC @ 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85.4pF @ 10V 9.5pF @ 10V 66.5pF @ 10V 146pF @ 6V

FDG6318PZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDG6318PZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG6318PZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assem/Material Chg 11/Mar/2019.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 12/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDG6318PZ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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