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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG6335N
FDG6335N Image
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FDG6335N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG6335N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG6335N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG6335N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 215210

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Anzahl

Spezifikation

FDG6335N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG6335N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG6335N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 700mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG6335  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG6335N.

Produkteigenschaften FDG6335N FDG6332C-PG FDG6332C-F085 FDG8850NZ
Artikelnummer FDG6335N FDG6332C-PG FDG6332C-F085 FDG8850NZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 700mA 700mA (Ta), 600mA (Ta) 700mA, 600mA 750mA
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Serie PowerTrench® - Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V 113pF @ 10V 120pF @ 10V
Leistung - max 300mW 300mW (Ta) 300mW 300mW
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Grundproduktnummer FDG6335 - FDG6332 FDG8850
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6)
FET-Merkmal Logic Level Gate Standard Logic Level Gate Logic Level Gate
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDG6335N Datenblatt PDF

Laden Sie FDG6335N PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG6335N - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 15/Mar/2023.pdf
Datenblätter
FDG6335N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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