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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDG8850NZ
FDG8850NZ Image
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FDG8850NZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDG8850NZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDG8850NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
FDG8850NZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 211680

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Anzahl

Spezifikation

FDG8850NZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDG8850NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDG8850NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 750mA, 4.5V  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.44nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 750mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDG8850  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDG8850NZ.

Produkteigenschaften FDG8850NZ FDG8842CZ FDG6332C-PG FDG6332C
Artikelnummer FDG8850NZ FDG8842CZ FDG6332C-PG FDG6332C
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leistung - max 300mW 300mW 300mW (Ta) 300mW
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 10V 120pF @ 10V 113pF @ 10V, 114pF @ 10V 113pF @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 750mA 750mA, 410mA 700mA (Ta), 600mA (Ta) 700mA, 600mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V, 25V 20V 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® - PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 750mA, 4.5V 400mOhm @ 750mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SC-88 (SC-70-6) SC-88 (SC-70-6) SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88 (SC-70-6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.44nC @ 4.5V 1.44nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V 1.5nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel - N and P-Channel
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Standard Logic Level Gate
Grundproduktnummer FDG8850 FDG8842 - FDG6332
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA

FDG8850NZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDG8850NZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDG8850NZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multi Dev 20/Sep/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FDG8850NZ

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