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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDI150N10
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDI150N10 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDI150N10
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDI150N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FDI150N10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28616

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Anzahl

Spezifikation

FDI150N10 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDI150N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDI150N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 49A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4760 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc)  
Grundproduktnummer FDI150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDI150N10.

Produkteigenschaften FDI150N10 FDI047AN08A0 FDI3632 FDI2532
Artikelnummer FDI150N10 FDI047AN08A0 FDI3632 FDI2532
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 49A, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 57A (Tc) 80A (Tc) 12A (Ta), 80A (Tc) 8A (Ta), 79A (Tc)
Grundproduktnummer FDI150 - FDI3632 FDI2532
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 138 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc) 310W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4760 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 5870 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V 100 V 150 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

FDI150N10 Datenblatt PDF

Laden Sie FDI150N10 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDI150N10 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Datenblätter
FDI150N10.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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