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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDI2532
onsemi
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FDI2532 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDI2532
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDI2532
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
FDB,P,I2532.pdf
vorrätig: 4810

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Anzahl

Spezifikation

FDI2532 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDI2532 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDI2532

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 79A (Tc)  
Grundproduktnummer FDI2532  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDI2532.

Produkteigenschaften FDI2532 FDI3652 FDC606P SIB406EDK-T1-GE3
Artikelnummer FDI2532 FDI3652 FDC606P SIB406EDK-T1-GE3
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 25 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 33A, 10V 16mOhm @ 61A, 10V 26mOhm @ 6A, 4.5V 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) SuperSOT™-6 PowerPAK® SC-75-6
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5870 pF @ 25 V 2880 pF @ 25 V 1699 pF @ 6 V 350 pF @ 10 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® TrenchFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±12V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDI2532 FDI3652 - SIB406
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 150W (Tc) 1.6W (Ta) 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Ta), 79A (Tc) 9A (Ta), 61A (Tc) 6A (Ta) 6A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 12 V 20 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 PowerPAK® SC-75-6
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V

FDI2532 Datenblatt PDF

Laden Sie FDI2532 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDI2532 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDB,P,I2532.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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