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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC15N06
onsemi
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FDMC15N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC15N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC15N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC15N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 27772

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Anzahl

Spezifikation

FDMC15N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC15N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC15N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta), 15A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC15N06.

Produkteigenschaften FDMC15N06 FDMC2674 FDMC0310AS FDMC0310AS
Artikelnummer FDMC15N06 FDMC2674 FDMC0310AS FDMC0310AS
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FDMC15 - FDMC0310 -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Serie - UniFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Ta), 15A (Tc) 1A (Ta), 7A (Tc) 19A (Ta), 21A (Tc) 19A (Ta), 21A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 15A, 10V 366mOhm @ 1A, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 220 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 1180 pF @ 100 V 3165 pF @ 15 V 3165 pF @ 15 V
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 35W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc)

FDMC15N06 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC15N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC15N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC15N06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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