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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC2523P
onsemi
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FDMC2523P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC2523P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC2523P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC2523P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38910

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Anzahl

Spezifikation

FDMC2523P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC2523P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC2523P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC2523  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC2523P.

Produkteigenschaften FDMC2523P FDMC2514SDC FDMC0310AS-F127 FDMC15N06
Artikelnummer FDMC2523P FDMC2514SDC FDMC0310AS-F127 FDMC15N06
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 3.5mOhm @ 22.5A, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 900mOhm @ 15A, 10V
Serie QFET® Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ -
Grundproduktnummer FDMC2523 FDMC25 FDMC0310 -
Vgs (Max) ±30V ±20V - ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 24A (Ta), 40A (Tc) 21A (Tc) 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) - 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 4V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 25 V 30 V 55 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) Dual Cool ™ 33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 11.5 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V - 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 2705 pF @ 13 V 3165 pF @ 15 V 350 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN

FDMC2523P Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC2523P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC2523P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf Wafer Fab Change 27/Sep/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMC2523P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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