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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC8010DC
onsemi
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FDMC8010DC - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8010DC
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8010DC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC8010DC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 82570

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Anzahl

Spezifikation

FDMC8010DC Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8010DC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8010DC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28mOhm @ 37A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7080 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Standard  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta)  
Grundproduktnummer FDMC8010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8010DC.

Produkteigenschaften FDMC8010DC FDMC8010DC FDMC8015L FDMC7692S
Artikelnummer FDMC8010DC FDMC8010DC FDMC8015L FDMC7692S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Serie - - PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Standard Standard - -
Grundproduktnummer FDMC8010 - FDMC8015 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2.3W (Ta), 24W (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 1mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta) 37A (Ta) 7A (Ta), 18A (Tc) 12.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28mOhm @ 37A, 10V 1.28mOhm @ 37A, 10V 26mOhm @ 7A, 10V 9.3mOhm @ 12.5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 15 V 94 nC @ 15 V 19 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7080 pF @ 15 V 7080 pF @ 15 V 945 pF @ 20 V 1385 pF @ 15 V

FDMC8010DC Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC8010DC PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC8010DC - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMC8010DC.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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