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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC8015L
onsemi
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FDMC8015L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC8015L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC8015L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC8015L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59570

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Anzahl

Spezifikation

FDMC8015L Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC8015L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC8015L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 24W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 18A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC8015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC8015L.

Produkteigenschaften FDMC8015L FDMC8010 FDMC8026S FDMC8010ET30
Artikelnummer FDMC8015L FDMC8010 FDMC8026S FDMC8010ET30
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 24W (Tc) 2.4W (Ta), 54W (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 1mA 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 20 V 5860 pF @ 15 V 3165 pF @ 15 V 5860 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) Power33 8-MLP (3.3x3.3) Power33
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta), 18A (Tc) 30A (Ta), 75A (Tc) 19A (Ta), 21A (Tc) 30A (Ta), 174A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V
Grundproduktnummer FDMC8015 FDMC80 - FDMC8010
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V

FDMC8015L Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC8015L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC8015L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC/FR014 29/Mar/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Capacity Expansion 12/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC8015L.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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