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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC86260
onsemi
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FDMC86260 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC86260
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC86260
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC86260.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34107

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Anzahl

Spezifikation

FDMC86260 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC86260 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC86260

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power33  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Ta), 16A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC86260  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC86260.

Produkteigenschaften FDMC86260 FDMC86248 FDMC86259P FDMC86262P
Artikelnummer FDMC86260 FDMC86248 FDMC86259P FDMC86262P
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±25V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Ta), 16A (Tc) 3.4A (Ta) 3.2A (Ta), 13A (Tc) 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Grundproduktnummer FDMC86260 FDMC86 FDMC86259 FDMC86262
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 75 V 525 pF @ 75 V 2045 pF @ 75 V 885 pF @ 75 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V 90mOhm @ 3.4A, 10V 107mOhm @ 3A, 10V 307mOhm @ 2A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 150 V 150 V 150 V
Supplier Device-Gehäuse Power33 Power33 Power33 8-MLP (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 54W (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) 2.3W (Ta), 62W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc)

FDMC86260 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC86260 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC86260 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMC86260 DataSheet Update 30/Sep/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMC86260.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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