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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC86262P
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC86262P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC86262P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC86262P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC86262P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53690

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Anzahl

Spezifikation

FDMC86262P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC86262P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC86262P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 307mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 885 pF @ 75 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta), 8.4A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC86262  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC86262P.

Produkteigenschaften FDMC86262P FDMC86320 FDMC86244 FDMC8622
Artikelnummer FDMC86262P FDMC86320 FDMC86244 FDMC8622
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 80 V 150 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta), 8.4A (Tc) 10.7A (Ta), 22A (Tc) 2.8A (Ta), 9.4A (Tc) 4A (Ta), 16A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 5.9 nC @ 10 V 7.3 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 885 pF @ 75 V 2640 pF @ 40 V 345 pF @ 75 V 402 pF @ 50 V
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
Grundproduktnummer FDMC86262 FDMC86 FDMC86 FDMC86
Verlustleistung (max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 26W (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 307mOhm @ 2A, 10V 11.7mOhm @ 10.7A, 10V 134mOhm @ 2.8A, 10V 56mOhm @ 4A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 8V, 10V 6V, 10V 6V, 10V

FDMC86262P Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC86262P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC86262P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDMC86262P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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