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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMC86340ET80
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMC86340ET80 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMC86340ET80
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMC86340ET80
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerWDFN
Datenblatt
FDMC86340ET80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18691

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Anzahl

Spezifikation

FDMC86340ET80 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMC86340ET80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMC86340ET80

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Power33  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2775 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 68A (Tc)  
Grundproduktnummer FDMC86340  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMC86340ET80.

Produkteigenschaften FDMC86340ET80 FDMC86262P FDMC86340 FDMC86520DC
Artikelnummer FDMC86340ET80 FDMC86262P FDMC86340 FDMC86520DC
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® Dual Cool™, PowerTrench®
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 54W (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 8V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2775 pF @ 40 V 885 pF @ 75 V 3885 pF @ 40 V 2790 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 14A, 10V 307mOhm @ 2A, 10V 6.5mOhm @ 14A, 10V 6.3mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device-Gehäuse Power33 8-MLP (3.3x3.3) Power33 Dual Cool ™ 33
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 68A (Tc) 2A (Ta), 8.4A (Tc) 14A (Ta), 48A (Tc) 17A (Ta), 40A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FDMC86340 FDMC86262 - FDMC86520
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 150 V 80 V 60 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V

FDMC86340ET80 Datenblatt PDF

Laden Sie FDMC86340ET80 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMC86340ET80 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Datenblätter
FDMC86340ET80.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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