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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDMQ86530L
onsemi
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDMQ86530L - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDMQ86530L
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDMQ86530L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
FDMQ86530L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28801

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Anzahl

Spezifikation

FDMQ86530L Tech -Spezifikationen
onsemi - FDMQ86530L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDMQ86530L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 12-MLP (5x4.5)  
Serie GreenBridge™ PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 1.9W  
Verpackung / Gehäuse 12-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 4 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer FDMQ86530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDMQ86530L.

Produkteigenschaften FDMQ86530L FDMQ8403 FDMQ8203 FDML7610S
Artikelnummer FDMQ86530L FDMQ8403 FDMQ8203 FDML7610S
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDMQ86530 FDMQ84 FDMQ82 FDML7610
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 7.5mOhm @ 12A, 10V
Serie GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® PowerTrench®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 3.1A 3.4A, 2.6A 12A, 17A
Konfiguration 4 N-Channel (Half Bridge) 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V 215pF @ 15V 210pF @ 50V 1750pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 5nC @ 10V 5nC @ 10V 28nC @ 10V
Leistung - max 1.9W 1.9W 2.5W 800mW, 900mW
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 8-MLP (3x4.5)
Verpackung / Gehäuse 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 100V 100V, 80V 30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDMQ86530L Datenblatt PDF

Laden Sie FDMQ86530L PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDMQ86530L - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Bewerbungsnotizen
Quad MOSFET Approach Delivers Dramatic PoE Improve.pdf
Datenblätter
FDMQ86530L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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