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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDMS015N04B
Fairchild Semiconductor
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FDMS015N04B - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDMS015N04B
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDMS015N04B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
FDMS015N04B.pdf
vorrätig: 4140

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Spezifikation

FDMS015N04B Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDMS015N04B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDMS015N04B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8725 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31.3A (Ta), 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDMS015N04B.

Produkteigenschaften FDMS015N04B FDMS0306AS FDMS0302S FDMS0302S
Artikelnummer FDMS015N04B FDMS0306AS FDMS0302S FDMS0302S
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 26A, 10V 1.9mOhm @ 28A, 10V 1.9mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 59W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8725 pF @ 20 V 3550 pF @ 15 V 7350 pF @ 15 V 7350 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31.3A (Ta), 100A (Tc) 26A (Ta), 49A (Tc) 29A (Ta), 49A (Tc) 29A (Ta), 49A (Tc)
Serie PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 30 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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