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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP045N10A-F102
FDP045N10A-F102 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDP045N10A-F102 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP045N10A-F102
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP045N10A-F102
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP045N10A, FDI045N10A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15358

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Anzahl

Spezifikation

FDP045N10A-F102 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP045N10A-F102 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP045N10A-F102

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 263W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP045  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP045N10A-F102.

Produkteigenschaften FDP045N10A-F102 FDP045N10A FDP045N10A FDP039N08B
Artikelnummer FDP045N10A-F102 FDP045N10A FDP045N10A FDP039N08B
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Grundproduktnummer FDP045 FDP045 FDP045 -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 5270 pF @ 50 V 5270 pF @ 50 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 120A (Tc) -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Verlustleistung (max) 263W (Tc) 263W (Tc) 263W (Tc) -
Paket Tube Bulk Tube Bulk
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® *
FET-Merkmal - - - -

FDP045N10A-F102 Datenblatt PDF

Laden Sie FDP045N10A-F102 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP045N10A-F102 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf
Datenblätter
FDP045N10A, FDI045N10A.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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