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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP045N10A
FDP045N10A Image
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FDP045N10A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP045N10A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP045N10A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP045N10A.pdf
vorrätig: 4010

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Anzahl

Spezifikation

FDP045N10A Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP045N10A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP045N10A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 263W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP045  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP045N10A.

Produkteigenschaften FDP045N10A FDP040N06 FDP038AN06A0 FDP039N08B
Artikelnummer FDP045N10A FDP040N06 FDP038AN06A0 FDP039N08B
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 60 V -
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® *
Grundproduktnummer FDP045 FDP040 - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Verlustleistung (max) 263W (Tc) 231W (Tc) 310W (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 4mOhm @ 75A, 10V 3.8mOhm @ 80A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5270 pF @ 50 V 8235 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 133 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V -
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 120A (Tc) 17A (Ta), 80A (Tc) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Paket Tube Tube Bulk Bulk

FDP045N10A Datenblatt PDF

Laden Sie FDP045N10A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP045N10A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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32D-FDP045N10A

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