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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP4D5N10C
FDP4D5N10C Image
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FDP4D5N10C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP4D5N10C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP4D5N10C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15527

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Anzahl

Spezifikation

FDP4D5N10C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP4D5N10C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP4D5N10C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5065 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 128A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP4D5  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP4D5N10C.

Produkteigenschaften FDP4D5N10C FDP42AN15A0 FDP55N06 FDP5500-F085
Artikelnummer FDP4D5N10C FDP42AN15A0 FDP55N06 FDP5500-F085
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie PowerTrench® PowerTrench® UniFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 2.4W (Ta), 150W (Tc) 150W (Tc) 114W (Tc) 375W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5065 pF @ 50 V 2150 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V 3565 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 60 V 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 269 nC @ 20 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer FDP4D5 FDP42 - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 128A (Tc) 5A (Ta), 35A (Tc) 55A (Tc) 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 12A, 10V 22mOhm @ 27.5A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V

FDP4D5N10C Datenblatt PDF

Laden Sie FDP4D5N10C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP4D5N10C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T 17/Jun/2021.pdf
Datenblätter
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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