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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP5500-F085
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FDP5500-F085 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP5500-F085
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP5500-F085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP5500_F085.pdf
vorrätig: 5460

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Spezifikation

FDP5500-F085 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP5500-F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP5500-F085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3565 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 269 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP5500-F085.

Produkteigenschaften FDP5500-F085 FDP51N25 FDP55N06 FDP52N20
Artikelnummer FDP5500-F085 FDP51N25 FDP55N06 FDP52N20
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer FDP55 FDP51 - FDP52
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3565 pF @ 25 V 3410 pF @ 25 V 1510 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 269 nC @ 20 V 70 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 80A, 10V 60mOhm @ 25.5A, 10V 22mOhm @ 27.5A, 10V 49mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 320W (Tc) 114W (Tc) 357W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 51A (Tc) 55A (Tc) 52A (Tc)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UniFET™ UniFET™ UniFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 250 V 60 V 200 V

FDP5500-F085 Datenblatt PDF

Laden Sie FDP5500-F085 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP5500-F085 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Teilenummer
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP5500_F085.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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