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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP8860
onsemi
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FDP8860 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP8860
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP8860
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP8860.pdf
vorrätig: 5060

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Anzahl

Spezifikation

FDP8860 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP8860 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP8860

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 254W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12240 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 222 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP8860.

Produkteigenschaften FDP8860 FDP8876 FDP8870 FDP8447L
Artikelnummer FDP8860 FDP8876 FDP8870 FDP8447L
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 222 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 132 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 70A (Tc) 19A (Ta), 156A (Tc) 12A (Ta), 50A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 254W (Tc) 70W (Tc) 160W (Tc) 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12240 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V 5200 pF @ 15 V 2500 pF @ 20 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 40 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V 8.7mOhm @ 40A, 10V 4.1mOhm @ 35A, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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