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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP8874
FDP8874 Image
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FDP8874 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP8874
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP8874
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP8874.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5100

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Anzahl

Spezifikation

FDP8874 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP8874 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP8874

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 114A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP88  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP8874.

Produkteigenschaften FDP8874 FDP8860 FDP8860 FDP8896
Artikelnummer FDP8874 FDP8860 FDP8860 FDP8896
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 114A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 16A (Ta), 92A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 15 V 12240 pF @ 15 V 12240 pF @ 15 V 2525 pF @ 15 V
Grundproduktnummer FDP88 - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 222 nC @ 10 V 222 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 254W (Tc) 254W (Tc) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 40A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 2.5mOhm @ 80A, 10V 5.9mOhm @ 35A, 10V

FDP8874 Datenblatt PDF

Laden Sie FDP8874 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP8874 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP8874.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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