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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP8N50NZ
FDP8N50NZ Image
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FDP8N50NZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDP8N50NZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDP8N50NZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59190

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Anzahl

Spezifikation

FDP8N50NZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDP8N50NZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDP8N50NZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 735 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer FDP8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDP8N50NZ.

Produkteigenschaften FDP8N50NZ FDP8880 FDP8878 FDP8876
Artikelnummer FDP8N50NZ FDP8880 FDP8878 FDP8876
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 11A (Ta), 54A (Tc) 40A (Tc) 70A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 30 V 30 V 30 V
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 55W (Tc) 40.5W (Tc) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer FDP8 - FDP88 FDP88
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 4A, 10V 11.6mOhm @ 40A, 10V 15mOhm @ 40A, 10V 8.7mOhm @ 40A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 735 pF @ 25 V 1240 pF @ 15 V 1235 pF @ 15 V 1700 pF @ 15 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Serie UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Bulk Tube Tube

FDP8N50NZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDP8N50NZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDP8N50NZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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