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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDP8896
Fairchild Semiconductor
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FDP8896 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDP8896
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDP8896
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
FDP8896.pdf
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

FDP8896 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDP8896 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDP8896

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 92A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDP8896.

Produkteigenschaften FDP8896 FDP8N50NZ FDP8896 FDP8874
Artikelnummer FDP8896 FDP8N50NZ FDP8896 FDP8874
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Serie PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V 735 pF @ 25 V 2525 pF @ 15 V 3130 pF @ 15 V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 130W (Tc) 80W (Tc) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 35A, 10V 850mOhm @ 4A, 10V 5.9mOhm @ 35A, 10V 5.3mOhm @ 40A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 92A (Tc) 8A (Tc) 16A (Ta), 92A (Tc) 16A (Ta), 114A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 500 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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