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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF20N50T
FDPF20N50T Image
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FDPF20N50T - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF20N50T
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF20N50T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF20N50 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20963

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Anzahl

Spezifikation

FDPF20N50T Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF20N50T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF20N50T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF20N50T.

Produkteigenschaften FDPF20N50T FDPF190N15A FDPF320N06L FDPF2710T
Artikelnummer FDPF20N50T FDPF190N15A FDPF320N06L FDPF2710T
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc) 33W (Tc) 26W (Tc) 62.5W (Tc)
Grundproduktnummer FDPF20 FDPF190 FDPF320 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 10A, 10V 19mOhm @ 27.4A, 10V 25mOhm @ 21A, 10V 42.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59.5 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 30.2 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 150 V 60 V 250 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Paket Tube Tube Tube Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 27.4A (Tc) 21A (Tc) 25A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3120 pF @ 25 V 2685 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 7280 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDPF20N50T Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF20N50T PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF20N50T - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDPF20N50 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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