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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF3860T
FDPF3860T Image
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FDPF3860T - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF3860T
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF3860T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF3860T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56830

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Anzahl

Spezifikation

FDPF3860T Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF3860T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF3860T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38.2mOhm @ 5.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 33.8W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF3860  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF3860T.

Produkteigenschaften FDPF3860T FDPF33N25T FDPF3860TYDTU FDPF390N15A
Artikelnummer FDPF3860T FDPF33N25T FDPF3860TYDTU FDPF390N15A
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 33A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer FDPF3860 FDPF33 FDPF3 FDPF390
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 100 V 150 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 33.8W (Tc) 37W (Tc) 33.8W (Tc) 22W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 2135 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1285 pF @ 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38.2mOhm @ 5.9A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 38.2mOhm @ 5.9A, 10V 40mOhm @ 15A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 18.6 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®

FDPF3860T Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF3860T PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF3860T - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf SOA curve 01/Jul/2013.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDPF3860T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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