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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF39N20
FDPF39N20 Image
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FDPF39N20 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF39N20
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF39N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDP(F)39N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 45750

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Anzahl

Spezifikation

FDPF39N20 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF39N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF39N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF39  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF39N20.

Produkteigenschaften FDPF39N20 FDPF3N50NZ FDPF33N25T FDPF3860T
Artikelnummer FDPF39N20 FDPF3N50NZ FDPF33N25T FDPF3860T
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Tc) 3A (Tc) 33A (Tc) 20A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 250 V 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie UniFET™ UniFET-II™ UniFET™ PowerTrench®
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Grundproduktnummer FDPF39 FDPF3 FDPF33 FDPF3860
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 37W (Tc) 27W (Tc) 37W (Tc) 33.8W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 19.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 94mOhm @ 16.5A, 10V 38.2mOhm @ 5.9A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 25 V 280 pF @ 25 V 2135 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V

FDPF39N20 Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF39N20 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF39N20 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Postponed Qualification 27/Dec/2022.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Datenblätter
FDP(F)39N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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