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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF8N60ZUT
FDPF8N60ZUT Image
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FDPF8N60ZUT - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDPF8N60ZUT
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF8N60ZUT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF8N60ZUT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3710

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Anzahl

Spezifikation

FDPF8N60ZUT Tech -Spezifikationen
onsemi - FDPF8N60ZUT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDPF8N60ZUT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 3.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 34.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1265 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)  
Grundproduktnummer FDPF8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDPF8N60ZUT.

Produkteigenschaften FDPF8N60ZUT FDPF7N50F FDPF8N50NZF FDPF8D5N10C
Artikelnummer FDPF8N60ZUT FDPF7N50F FDPF8N50NZF FDPF8D5N10C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer FDPF8 - FDPF8 FDPF8
Verlustleistung (max) 34.5W (Tc) 38.5W (Tc) 40W (Tc) 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 3.25A, 10V 1.15Ohm @ 3A, 10V 1Ohm @ 3.5A, 10V 8.5mOhm @ 76A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 500 V 100 V
Serie UniFET™ UniFET™ UniFET-II™ PowerTrench®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc) 6A (Tc) 7A (Tc) 76A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1265 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V 735 pF @ 25 V 2475 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±20V

FDPF8N60ZUT Datenblatt PDF

Laden Sie FDPF8N60ZUT PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDPF8N60ZUT - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mold Compound Change 25/Sep/2019.pdf
Datenblätter
FDPF8N60ZUT.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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