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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDPF7N50F
Fairchild Semiconductor
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FDPF7N50F - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDPF7N50F
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDPF7N50F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 6A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
FDPF7N50F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 63780

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Anzahl

Spezifikation

FDPF7N50F Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDPF7N50F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDPF7N50F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3  
Serie UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDPF7N50F.

Produkteigenschaften FDPF7N50F FDPF770N15A FDPF680N10T FDPF770N15A
Artikelnummer FDPF7N50F FDPF770N15A FDPF680N10T FDPF770N15A
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 150 V 100 V 150 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 10A (Tc) 12A (Tc) 10A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 11.2 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 11.2 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 38.5W (Tc) 21W (Tc) 24W (Tc) 21W (Tc)
Paket Tube Bulk Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 3A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V 68mOhm @ 6A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 25 V 765 pF @ 75 V 1000 pF @ 50 V 765 pF @ 75 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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