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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS3912
FDS3912 Image
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FDS3912 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS3912
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS3912
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS3912.pdf
vorrätig: 4090

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Spezifikation

FDS3912 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS3912 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS3912

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 3A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 50V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS39  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS3912.

Produkteigenschaften FDS3912 FDS3812 FDS3992 FDS3890
Artikelnummer FDS3912 FDS3812 FDS3992 FDS3890
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A 3.4A 4.5A 4.7A
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 50V 634pF @ 40V 750pF @ 25V 1180pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 3A, 10V 74mOhm @ 3.4A, 10V 62mOhm @ 4.5A, 10V 44mOhm @ 4.7A, 10V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Grundproduktnummer FDS39 FDS38 FDS39 FDS38
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 900mW 900mW 2.5W 900mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 18nC @ 10V 15nC @ 10V 35nC @ 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 80V 100V 80V

FDS3912 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS3912 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS3912 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDS3912.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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