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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS4070N3
FDS4070N3 Image
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FDS4070N3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4070N3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4070N3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Datenblatt
FDS4070N3.pdf
vorrätig: 4000

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Anzahl

Spezifikation

FDS4070N3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4070N3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4070N3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.3A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4070N3.

Produkteigenschaften FDS4070N3 FDS4070N3 FDS4080N3 FDS4141
Artikelnummer FDS4070N3 FDS4070N3 FDS4080N3 FDS4141
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 5W (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO FLMP 8-SO 8-SO FLMP 8-SOIC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FDS40 - FDS40 FDS41
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 15.3A, 10V 7.5mOhm @ 15.3A, 10V 10.5mOhm @ 13A, 10V 13mOhm @ 10.5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V 1750 pF @ 20 V 2670 pF @ 20 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15.3A (Ta) 15.3A (Ta) 13A (Ta) 10.8A (Ta)

FDS4070N3 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4070N3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4070N3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Datenblätter
FDS4070N3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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