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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS4685
FDS4685 Image
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FDS4685 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4685
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4685
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS4685 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 96280

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Anzahl

Spezifikation

FDS4685 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4685 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4685

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 8.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1872 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4685.

Produkteigenschaften FDS4685 FDS4770 FDS4672A FDS4672A
Artikelnummer FDS4685 FDS4770 FDS4672A FDS4672A
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 8.2A, 10V 7.5mOhm @ 13.2A, 10V 13mOhm @ 11A, 4.5V 13mOhm @ 11A, 4.5V
Grundproduktnummer FDS46 FDS47 FDS4672 FDS4672
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1872 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V 4766 pF @ 20 V 4766 pF @ 20 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 5 V 67 nC @ 10 V 49 nC @ 4.5 V 49 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta) 13.2A (Ta) 11A (Ta) 11A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V 4.5V

FDS4685 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4685 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4685 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab 02/Aug/2020.pdf
Datenblätter
FDS4685 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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