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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS4770
FDS4770 Image
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FDS4770 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS4770
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS4770
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS4770.pdf
vorrätig: 5480

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Anzahl

Spezifikation

FDS4770 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS4770 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS4770

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.2A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS47  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS4770.

Produkteigenschaften FDS4770 FDS4770 FDS4685 FDS4685
Artikelnummer FDS4770 FDS4770 FDS4685 FDS4685
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2819 pF @ 20 V 2819 pF @ 20 V 1872 pF @ 20 V 1872 pF @ 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 27 nC @ 5 V 27 nC @ 5 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Grundproduktnummer FDS47 - FDS46 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13.2A (Ta) 13.2A (Ta) 8.2A (Ta) 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13.2A, 10V 7.5mOhm @ 13.2A, 10V 27mOhm @ 8.2A, 10V 27mOhm @ 8.2A, 10V

FDS4770 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS4770 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS4770 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Datenblätter
FDS4770.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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