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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS6986AS
FDS6986AS Image
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FDS6986AS - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS6986AS
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6986AS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6986AS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 82500

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Anzahl

Spezifikation

FDS6986AS Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS6986AS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS6986AS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A, 7.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS6986AS.

Produkteigenschaften FDS6986AS FDS6984S FDS6984AS FDS6986AS
Artikelnummer FDS6986AS FDS6984S FDS6984AS FDS6986AS
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 12nC @ 5V 11nC @ 10V 17nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V 19mOhm @ 8.5A, 10V 31mOhm @ 5.5A, 10V 29mOhm @ 6.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V 1233pF @ 15V 420pF @ 15V 720pF @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Grundproduktnummer FDS69 FDS69 FDS69 FDS69
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A, 7.9A 5.5A, 8.5A 5.5A, 8.5A 6.5A, 7.9A
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDS6986AS Datenblatt PDF

Laden Sie FDS6986AS PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS6986AS - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
FDDx/FDMx/FDSx/NDSx/PFCx 29/Jun/2022.pdf
Datenblätter
FDS6986AS.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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