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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS6986AS
Fairchild Semiconductor
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FDS6986AS - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS6986AS
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS6986AS
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS6986AS.pdf
vorrätig: 4330

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Spezifikation

FDS6986AS Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS6986AS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS6986AS

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A, 7.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDS69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS6986AS.

Produkteigenschaften FDS6986AS FDS6984S FDS6990A FDS6986S
Artikelnummer FDS6986AS FDS6984S FDS6990A FDS6986S
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A, 7.9A 5.5A, 8.5A 7.5A 6.5A, 7.9A
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V 19mOhm @ 8.5A, 10V 18mOhm @ 7.5A, 10V 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Grundproduktnummer FDS69 FDS69 FDS6990 FDS69
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 12nC @ 5V 17nC @ 5V 9nC @ 5V, 16nC @ 5V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Serie PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V 1233pF @ 15V 1235pF @ 15V 695pF @ 10V, 1233pF @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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