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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS7096N3
FDS7096N3 Image
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FDS7096N3 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS7096N3
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS7096N3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS7096N3.pdf
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

FDS7096N3 Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS7096N3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS7096N3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1587 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  
Grundproduktnummer FDS70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS7096N3.

Produkteigenschaften FDS7096N3 FDS7096N3 FDS7760A FDS7760A
Artikelnummer FDS7096N3 FDS7096N3 FDS7760A FDS7760A
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 22 nC @ 5 V 55 nC @ 5 V 55 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 14A, 10V 9mOhm @ 14A, 10V 5.5mOhm @ 15A, 10V 5.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Grundproduktnummer FDS70 - - FDS77
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1587 pF @ 15 V 1587 pF @ 15 V 3514 pF @ 15 V 3514 pF @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 14A (Ta) 15A (Ta) 15A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FDS7096N3 Datenblatt PDF

Laden Sie FDS7096N3 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS7096N3 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 27/March/2008.pdf
Datenblätter
FDS7096N3.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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