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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDS7088SN3
Fairchild Semiconductor
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FDS7088SN3 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDS7088SN3
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDS7088SN3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS7088SN3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 20514

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Anzahl

Spezifikation

FDS7088SN3 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDS7088SN3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDS7088SN3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3230 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDS7088SN3.

Produkteigenschaften FDS7088SN3 FDS7088N3 FDS7088N7 FDS7088N3
Artikelnummer FDS7088SN3 FDS7088N3 FDS7088N7 FDS7088N3
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Paket Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Ta) 21A (Ta) 23A (Ta) 21A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO FLMP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 48 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Verlustleistung (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 21A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V 3mOhm @ 23A, 10V 4mOhm @ 21A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3230 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V 3845 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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