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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS8960C
FDS8960C Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDS8960C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8960C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8960C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8960C.pdf
vorrätig: 4880

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Anzahl

Spezifikation

FDS8960C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8960C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8960C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 35V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A, 5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDS89  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8960C.

Produkteigenschaften FDS8960C FDS8962C FDS8958A-F085 FDS8962C
Artikelnummer FDS8960C FDS8962C FDS8958A-F085 FDS8962C
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 35V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7A, 10V 30mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 30mOhm @ 7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V 575pF @ 15V 575pF @ 15V 575pF @ 15V
Leistung - max 900mW 900mW 900mW 900mW
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 5V 26nC @ 10V 16nC @ 10V 26nC @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A, 5A 7A, 5A 7A, 5A 7A, 5A
Serie PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

FDS8960C Datenblatt PDF

Laden Sie FDS8960C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS8960C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 126/Jul/2018.pdf
Datenblätter
FDS8960C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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