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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDS8962C
FDS8962C Image
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FDS8962C - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDS8962C
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDS8962C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
FDS8962C.pdf
vorrätig: 4060

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Anzahl

Spezifikation

FDS8962C Tech -Spezifikationen
onsemi - FDS8962C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDS8962C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V  
Leistung - max 900mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A, 5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer FDS89  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDS8962C.

Produkteigenschaften FDS8962C FDS8984 FDS8978 FDS8960C
Artikelnummer FDS8962C FDS8984 FDS8978 FDS8960C
Hersteller onsemi onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V 13nC @ 10V 26nC @ 10V 7.7nC @ 5V
Grundproduktnummer FDS89 FDS89 FDS89 FDS89
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 35V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A, 5A 7A 7.5A 7A, 5A
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 635pF @ 15V 1270pF @ 15V 570pF @ 15V
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Leistung - max 900mW 1.6W 1.6W 900mW
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7A, 10V 23mOhm @ 7A, 10V 18mOhm @ 7.5A, 10V 24mOhm @ 7A, 10V

FDS8962C Datenblatt PDF

Laden Sie FDS8962C PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDS8962C - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Datenblätter
FDS8962C.pdf

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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