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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDW2501N
FDW2501N Image
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FDW2501N - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDW2501N
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDW2501N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
FDW2501N.pdf
vorrätig: 4160

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Anzahl

Spezifikation

FDW2501N Tech -Spezifikationen
onsemi - FDW2501N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDW2501N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V  
Leistung - max 600mW  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDW25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDW2501N.

Produkteigenschaften FDW2501N FDW2503NZ FDW2506P FDW2501NZ
Artikelnummer FDW2501N FDW2503NZ FDW2506P FDW2501NZ
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V 1286pF @ 10V 1015pF @ 10V 1286pF @ 10V
Leistung - max 600mW 600mW 600mW 600mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer FDW25 FDW25 FDW25 FDW25
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V 20mOhm @ 5.5A, 4.5V 22mOhm @ 5.3A, 4.5V 18mOhm @ 5.5A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 5.5A 5.3A 5.5A
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V 34nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDW2501N Datenblatt PDF

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Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDW2501N.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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