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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDW2501N
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FDW2501N - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDW2501N
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDW2501N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt
FDW2501N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36600

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Anzahl

Spezifikation

FDW2501N Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDW2501N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDW2501N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V  
Leistung - max 600mW  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDW25  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDW2501N.

Produkteigenschaften FDW2501N FDW2502PZ FDW2501NZ FDW2503N
Artikelnummer FDW2501N FDW2502PZ FDW2501NZ FDW2503N
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 6A, 4.5V 35mOhm @ 4.4A, 4.5V 18mOhm @ 5.5A, 4.5V 21mOhm @ 5.5A, 4.5V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A 4.4A (Ta) 5.5A 5.5A
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 10V 1465pF @ 10V 1286pF @ 10V 1082pF @ 10V
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Leistung - max 600mW 600mW (Ta) 600mW 600mW
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V 21nC @ 5V 17nC @ 4.5V 17nC @ 4.5V
Grundproduktnummer FDW25 FDW25 FDW25 FDW25

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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