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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysFDY1002PZ
FDY1002PZ Image
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FDY1002PZ - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDY1002PZ
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDY1002PZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
FDY1002PZ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 126880

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Anzahl

Spezifikation

FDY1002PZ Tech -Spezifikationen
onsemi - FDY1002PZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDY1002PZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563F  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 830mA, 4.5V  
Leistung - max 446mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 135pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 830mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer FDY1002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDY1002PZ.

Produkteigenschaften FDY1002PZ FDY2000PZ FDY3000NZ FDY3000NZ
Artikelnummer FDY1002PZ FDY2000PZ FDY3000NZ FDY3000NZ
Hersteller onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 830mA 350mA 600mA 600mA
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V 1.4nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V 1.1nC @ 4.5V
Leistung - max 446mW 446mW 446mW 446mW
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse SOT-563F SOT-563F SOT-563F SOT-563F
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 830mA, 4.5V 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Grundproduktnummer FDY1002 FDY20 FDY3000 FDY3000
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 135pF @ 10V 100pF @ 10V 60pF @ 10V 60pF @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.3V @ 250µA 1.3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDY1002PZ Datenblatt PDF

Laden Sie FDY1002PZ PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDY1002PZ - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Material Supply Chg 15/Aug/2019.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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