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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDZ291P
onsemi
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FDZ291P - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FDZ291P
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FDZ291P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
9-VFBGA
Datenblatt
FDZ291P.pdf
vorrätig: 3760

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Anzahl

Spezifikation

FDZ291P Tech -Spezifikationen
onsemi - FDZ291P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FDZ291P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 9-BGA (1.5x1.6)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 9-VFBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)  
Grundproduktnummer FDZ29  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FDZ291P.

Produkteigenschaften FDZ291P FDZ293P FDZ293P FDZ294N
Artikelnummer FDZ291P FDZ293P FDZ293P FDZ294N
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta) 1.7W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 10 V 754 pF @ 10 V 754 pF @ 10 V 670 pF @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer FDZ29 - FDZ29 -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.6A, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 4.5V 23mOhm @ 6A, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse 9-BGA (1.5x1.6) 9-BGA (1.5x1.6) 9-BGA (1.5x1.6) 9-BGA (1.5x1.6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Verpackung / Gehäuse 9-VFBGA 9-VFBGA 9-VFBGA 9-VFBGA
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±12V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta) 4.6A (Ta) 4.6A (Ta) 6A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDZ291P Datenblatt PDF

Laden Sie FDZ291P PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FDZ291P - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
FDZ291P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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