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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFDZ208P
Fairchild Semiconductor
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FDZ208P - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FDZ208P
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FDZ208P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
30-WFBGA
Datenblatt
FDZ208P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28202

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Anzahl

Spezifikation

FDZ208P Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FDZ208P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FDZ208P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 30-BGA (4x3.5)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 30-WFBGA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2409 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FDZ208P.

Produkteigenschaften FDZ208P FDZ291P FDZ204P FDZ206P
Artikelnummer FDZ208P FDZ291P FDZ204P FDZ206P
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 30-BGA (4x3.5) 9-BGA (1.5x1.6) 9-BGA (2x2.1) 30-BGA (4x3.5)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse 30-WFBGA 9-VFBGA 9-WFBGA 30-WFBGA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.2W (Ta) 1.7W (Ta) 1.8W (Ta) 2.2W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 13 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 53 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12.5A (Ta) 4.6A (Ta) 4.5A (Ta) 13A (Ta)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2409 pF @ 15 V 1010 pF @ 10 V 884 pF @ 10 V 4280 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±8V ±12V ±12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 12.5A, 10V 40mOhm @ 4.6A, 4.5V 45mOhm @ 4.5A, 4.5V 9.5mOhm @ 13A, 4.5V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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