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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFJD3305H1TM
FJD3305H1TM Image
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FJD3305H1TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FJD3305H1TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FJD3305H1TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 4A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FJD3305H1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 120170

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Spezifikation

FJD3305H1TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FJD3305H1TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FJD3305H1TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 1A, 4A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie -  
Leistung - max 1.1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 4MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 8 @ 2A, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A  
Grundproduktnummer FJD3305  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FJD3305H1TM.

Produkteigenschaften FJD3305H1TM FJD5553TM 2N5551YTA FJD5555TM
Artikelnummer FJD3305H1TM FJD5553TM 2N5551YTA FJD5555TM
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer FJD3305 FJD5553 - FJD5555
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 4MHz - 100MHz -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO) - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA TO-252AA TO-92-3 TO-252AA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 4 A 3 A 600 mA 5 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 400 V 160 V 400 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 8 @ 2A, 5V 30 @ 400mA, 3V 180 @ 10mA, 5V 20 @ 800mA, 3V
Leistung - max 1.1 W 1.25 W 625 mW 1.34 W
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 1A, 4A 500mV @ 200mA, 1A 200mV @ 5mA, 50mA 1.5V @ 1A, 3.5A

FJD3305H1TM Datenblatt PDF

Laden Sie FJD3305H1TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FJD3305H1TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FJD3305H1.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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