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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFJD5553TM
FJD5553TM Image
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FJD5553TM - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FJD5553TM
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FJD5553TM
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 3A TO252AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
FJD5553.pdf
RoHS Status
vorrätig: 123470

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Anzahl

Spezifikation

FJD5553TM Tech -Spezifikationen
onsemi - FJD5553TM Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FJD5553TM

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA  
Serie -  
Leistung - max 1.25 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 400mA, 3V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer FJD5553  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FJD5553TM.

Produkteigenschaften FJD5553TM FJD3076TF FJD3305H1TM ZTX776
Artikelnummer FJD5553TM FJD3076TF FJD3305H1TM ZTX776
Hersteller onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 E-Line-3
Frequenz - Übergang - 100MHz 4MHz 30MHz
Supplier Device-Gehäuse TO-252AA D-Pak TO-252AA E-Line (TO-92 compatible)
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 400mA, 3V 130 @ 500mA, 3V 8 @ 2A, 5V 50 @ 500mA, 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) - 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
Leistung - max 1.25 W 1 W 1.1 W 1 W
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A 800mV @ 200mA, 2A 1V @ 1A, 4A 500mV @ 200mA, 1A
Transistor-Typ NPN NPN NPN PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 2 A 4 A 1 A
Grundproduktnummer FJD5553 FJD3076 FJD3305 ZTX776
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 32 V 400 V 200 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

FJD5553TM Datenblatt PDF

Laden Sie FJD5553TM PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FJD5553TM - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Datenblätter
FJD5553.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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