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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedFJN3303RBU
FJN3303RBU Image
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FJN3303RBU - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FJN3303RBU
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FJN3303RBU
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Datenblatt
FJN3303R.pdf
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

FJN3303RBU Tech -Spezifikationen
onsemi - FJN3303RBU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FJN3303RBU

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paket Bulk  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer FJN330  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FJN3303RBU.

Produkteigenschaften FJN3303RBU DTA114YM3T5G DDTA123TUA-7-F BCR583E6327
Artikelnummer FJN3303RBU DTA114YM3T5G DDTA123TUA-7-F BCR583E6327
Hersteller onsemi onsemi Diodes Incorporated Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse TO-92-3 SOT-723 SOT-323 PG-SOT23-3-1
Leistung - max 300 mW 260 mW 200 mW 330 mW
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer FJN330 DTA114 DDTA123 BCR583
Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms 47 kOhms - 10 kOhms
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 500nA 500nA (ICBO) 100nA (ICBO)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V 70 @ 50mA, 5V
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Frequenz - Übergang 250 MHz - 250 MHz 150 MHz
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 500 mA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 500µA, 5mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) SOT-723 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms 10 kOhms 2.2 kOhms 10 kOhms

FJN3303RBU Datenblatt PDF

Laden Sie FJN3303RBU PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FJN3303RBU - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
Datenblätter
FJN3303R.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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