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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA170N06
FQA170N06 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FQA170N06 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA170N06
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA170N06
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA170N06.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4304

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Anzahl

Spezifikation

FQA170N06 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA170N06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA170N06

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 85A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9350 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA170N06.

Produkteigenschaften FQA170N06 FQA16N50 FQA19N60 FQA19N60
Artikelnummer FQA170N06 FQA16N50 FQA19N60 FQA19N60
Hersteller onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer FQA170 - - -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Serie QFET® QFET® - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 85A, 10V 320mOhm @ 8A, 10V 380mOhm @ 9.3A, 10V 380mOhm @ 9.3A, 10V
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9350 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 500 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 16A (Tc) 18.5A (Tc) 18.5A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3P TO-3PN TO-3PN

FQA170N06 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA170N06 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA170N06 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015.pdf
Datenblätter
FQA170N06.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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