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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFQA160N08
FQA160N08 Image
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FQA160N08 - onsemi

Hersteller Artikelnummer
FQA160N08
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-FQA160N08
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3, SC-65-3
Datenblatt
FQA160N08.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4200

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Anzahl

Spezifikation

FQA160N08 Tech -Spezifikationen
onsemi - FQA160N08 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - FQA160N08

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer FQA160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi FQA160N08.

Produkteigenschaften FQA160N08 FQA19N20L FQA18N50V2 FQA14N30
Artikelnummer FQA160N08 FQA19N20L FQA18N50V2 FQA14N30
Hersteller onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 25A (Tc) 20A (Tc) 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer FQA160 FQA1 - -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 80A, 10V 140mOhm @ 12.5A, 10V 265mOhm @ 10A, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 35 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 190W (Tc) 277W (Tc) 160W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 200 V 500 V 300 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 3290 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PN TO-3P TO-3P TO-3P
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQA160N08 Datenblatt PDF

Laden Sie FQA160N08 PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für FQA160N08 - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Datenblätter
FQA160N08.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fab Location 30/Nov/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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